製造者製品番号:
MJD112T4G
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
MJD112T4G-DG
説明:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK
在庫:
12848809
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MJD112T4G 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
NPN - Darlington
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
2 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
100 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
3V @ 40mA, 4A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
20µA
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
1000 @ 2A, 3V
パワー - 最大
20 W
周波数 - トランジション
25MHz
動作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
DPAK
基本品番
MJD112
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
2156-MJD112T4G-OS
MJD112T4GOSTR
MJD112T4GOS-DG
MJD112T4GOS
MJD112T4GOSCT
ONSONSMJD112T4G
MJD112T4GOSDKR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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