製造者製品番号:
MJD112-1G
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
MJD112-1G-DG
説明:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
在庫:
153 新規オリジナル在庫あり
12853107
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MJD112-1G 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
Tube
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
NPN - Darlington
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
2 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
100 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
3V @ 40mA, 4A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
20µA
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
1000 @ 2A, 3V
パワー - 最大
1.75 W
周波数 - トランジション
25MHz
動作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ
I-PAK
基本品番
MJD112
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
75
他の名前
ONSONSMJD112-1G
MJD1121G
=MJD112
MJD112-1GOS
2156-MJD112-1G-OS
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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