製造者製品番号:
KSE803S
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
KSE803S-DG
説明:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 40 W Through Hole TO-126-3
在庫:
12854808
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KSE803S 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN - Darlington
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
4 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
80 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
2.8V @ 40mA, 2A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100µA
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
750 @ 2A, 3V
パワー - 最大
40 W
周波数 - トランジション
-
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-225AA, TO-126-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-126-3
基本品番
KSE80
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,000
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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