製造者製品番号:
KSD363YTU
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
KSD363YTU-DG
説明:
TRANS NPN 120V 6A TO220-3
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 6 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220-3
在庫:
12852833
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KSD363YTU 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Last Time Buy
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
6 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
120 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
1V @ 100mA, 1A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
1mA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
120 @ 1A, 5V
パワー - 最大
40 W
周波数 - トランジション
10MHz
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
基本品番
KSD363
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
50
他の名前
2832-KSD363YTU
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
Not Applicable
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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