製造者製品番号:
KSD2012YTU
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
KSD2012YTU-DG
説明:
TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 25 W Through Hole TO-220F-3
在庫:
12853041
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KSD2012YTU 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
3 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
60 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
1V @ 200mA, 2A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100µA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
100 @ 500mA, 5V
パワー - 最大
25 W
周波数 - トランジション
3MHz
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220F-3
基本品番
KSD2012
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
50
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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