製造者製品番号:
KSC1008GTA
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
KSC1008GTA-DG
説明:
TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 700 mA 50MHz 800 mW Through Hole TO-92-3
在庫:
12836989
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KSC1008GTA 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
700 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
60 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
400mV @ 50mA, 500mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
200 @ 500mA, 2V
パワー - 最大
800 mW
周波数 - トランジション
50MHz
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-92-3
基本品番
KSC1008
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,000
他の名前
2832-KSC1008GTATR
KSC1008GTA-DG
KSC1008GTATB
KSC1008GTACT
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
代替モデル
DIGI認証
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