製造者製品番号:
KSB1151YS
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
KSB1151YS-DG
説明:
TRANS PNP 60V 5A TO126-3
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 5 A 1.3 W Through Hole TO-126-3
在庫:
1132 新規オリジナル在庫あり
12836880
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KSB1151YS 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
Bulk
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
PNP
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
5 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
60 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
300mV @ 200mA, 2A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
10µA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
100 @ 2A, 1V
パワー - 最大
1.3 W
周波数 - トランジション
-
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-225AA, TO-126-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-126-3
基本品番
KSB1151
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,000
他の名前
KSB1151YSFS
KSB1151YS-DG
2832-KSB1151YS
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
Not Applicable
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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