製造者製品番号:
KSB1116AGBU
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
KSB1116AGBU-DG
説明:
TRANS PNP 60V 1A TO92-3
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 120MHz 750 mW Through Hole TO-92-3
在庫:
12855475
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KSB1116AGBU 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
PNP
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
1 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
60 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
300mV @ 50mA, 1A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
200 @ 100mA, 2V
パワー - 最大
750 mW
周波数 - トランジション
120MHz
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-92-3
基本品番
KSB11
追加情報
スタンダードパッケージ
10,000
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0075
DIGI認証
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