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よくある質問
製造者製品番号:
IRLS630A
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
IRLS630A-DG
説明:
MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3
詳細な説明:
N-Channel 200 V 6.5A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220-3
在庫:
オンラインRFQ
12839528
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IRLS630A 技術仕様
カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
200 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
5V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
400mOhm @ 3.25A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id
2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
755 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
36W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
パッケージ/ケース
TO-220-3
基本品番
IRLS63
追加情報
スタンダードパッケージ
50
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
IRLI630GPBF
製造業者
Vishay Siliconix
在庫数
991
部品番号
IRLI630GPBF-DG
単価
1.08
代替タイプ
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