製造者製品番号:
FSB660
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FSB660-DG
説明:
TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 2 A 75MHz 500 mW Surface Mount SOT-23-3
在庫:
12847190
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FSB660 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
PNP
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
2 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
60 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
350mV @ 200mA, 2A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
100 @ 500mA, 2V
パワー - 最大
500 mW
周波数 - トランジション
75MHz
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3
基本品番
FSB660
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
代替モデル
部品番号
SMBT2907AE6327HTSA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
2976
部品番号
SMBT2907AE6327HTSA1-DG
単価
0.04
代替タイプ
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