製造者製品番号:
FQT4N20LTF
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FQT4N20LTF-DG
説明:
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
詳細な説明:
N-Channel 200 V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
在庫:
50 新規オリジナル在庫あり
12840019
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FQT4N20LTF 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
QFET®
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
200 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
850mA (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
5V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
1.35Ohm @ 425mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
310 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.2W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-223-4
パッケージ/ケース
TO-261-4, TO-261AA
基本品番
FQT4N20
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
4,000
他の名前
FQT4N20LTFDKR
FAIFSCFQT4N20LTF
FQT4N20LTF-DG
FQT4N20LTFTR
FQT4N20LTFCT
2156-FQT4N20LTF-OS
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
BSP297H6327XTSA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
7629
部品番号
BSP297H6327XTSA1-DG
単価
0.30
代替タイプ
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