FQPF7N10
製造者製品番号:

FQPF7N10

Product Overview

製造者:

onsemi

部品番号:

FQPF7N10-DG

説明:

MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F
詳細な説明:
N-Channel 100 V 5.5A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220F-3

在庫:

12839277
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FQPF7N10 技術仕様

カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
QFET®
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
100 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
350mOhm @ 2.75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±25V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
23W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220F-3
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack
基本品番
FQPF7

データシートとドキュメント

データシート
HTML データシート

追加情報

スタンダードパッケージ
1,000

環境および輸出分類

湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095

代替モデル

部品番号
IRFI540NPBF
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
0
部品番号
IRFI540NPBF-DG
単価
0.54
代替タイプ
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IRFI530NPBF
製造業者
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