製造者製品番号:
FQPF2NA90
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FQPF2NA90-DG
説明:
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220F
詳細な説明:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
在庫:
12930609
見積もりをリクエスト
数量
最低1
最低1
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
24時間以内にご連絡いたします
送信
FQPF2NA90 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
QFET®
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
900 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
5.8Ohm @ 850mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
680 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
39W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220F-3
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack
基本品番
FQPF2
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
1,000
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
関連商品
AO3418L
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
FDP18N20F
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
CPH6354-TL-W
MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
