製造者製品番号:
FQP630
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FQP630-DG
説明:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
詳細な説明:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220-3
在庫:
12846220
見積もりをリクエスト
数量
最低1
最低1
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
24時間以内にご連絡いたします
送信
FQP630 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
QFET®
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
200 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±25V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
78W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
パッケージ/ケース
TO-220-3
基本品番
FQP6
データシートとドキュメント
追加情報
スタンダードパッケージ
50
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
関連商品
CPH6341-M-TL-W
MOSFET P-CH 30V 5A CPH6
FDC658AP
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
AOT7S65L
MOSFET N-CH 650V 7A TO220