製造者製品番号:
FQI4P40TU
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FQI4P40TU-DG
説明:
MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK
詳細な説明:
P-Channel 400 V 3.5A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
在庫:
12849852
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FQI4P40TU 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
QFET®
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
P-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
400 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
3.1Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
680 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-262 (I2PAK)
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本品番
FQI4
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
1,000
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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