FQD4P25TF
製造者製品番号:

FQD4P25TF

Product Overview

製造者:

onsemi

部品番号:

FQD4P25TF-DG

説明:

MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
詳細な説明:
P-Channel 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA

在庫:

12850408
見積もりをリクエスト
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
8t7Z
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
送信

FQD4P25TF 技術仕様

カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
QFET®
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
P-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
250 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
420 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252AA
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本品番
FQD4

データシートとドキュメント

データシート
HTML データシート

追加情報

スタンダードパッケージ
2,000
他の名前
Q1585607A
FQD4P25TF-NDR

環境および輸出分類

湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
関連商品
onsemi

FQPF10N60C_F105

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F

onsemi

FDD6670AS

MOSFET N-CH 30V 76A TO252

onsemi

FQB2N90TM

MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK

onsemi

FDP24N40

MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3