製造者製品番号:
FQD4N50TF
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FQD4N50TF-DG
説明:
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
詳細な説明:
N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
在庫:
12838869
見積もりをリクエスト
数量
最低1
最低1
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
24時間以内にご連絡いたします
送信
FQD4N50TF 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
QFET®
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
500 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
460 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252AA
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本品番
FQD4
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,000
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
TK3P50D,RQ(S
製造業者
Toshiba Semiconductor and Storage
在庫数
1899
部品番号
TK3P50D,RQ(S-DG
単価
0.40
代替タイプ
Similar
部品番号
IPD50R3K0CEAUMA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
15854
部品番号
IPD50R3K0CEAUMA1-DG
単価
0.14
代替タイプ
Similar
DIGI認証
関連商品
FQD13N10TF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
FCPF11N65_G
INTEGRATED CIRCUIT
FQA24N50
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P