製造者製品番号:
FQB6N80TM
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FQB6N80TM-DG
説明:
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
詳細な説明:
N-Channel 800 V 5.8A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
在庫:
12835885
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FQB6N80TM 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
QFET®
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
800 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1500 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
3.13W (Ta), 158W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263 (D2PAK)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本品番
FQB6N80
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
800
他の名前
FQB6N80TM-DG
FQB6N80TMTR
FQB6N80TMDKR
FQB6N80TMCT
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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