製造者製品番号:
FJP2160DTU
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FJP2160DTU-DG
説明:
TRANS NPN 800V 2A TO220-3
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 2 A 5MHz 100 W Through Hole TO-220-3
在庫:
12848540
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FJP2160DTU 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
ESBC™
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
2 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
800 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
750mV @ 330mA, 1A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100µA
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
20 @ 400mA, 3V
パワー - 最大
100 W
周波数 - トランジション
5MHz
動作温度
-55°C ~ 125°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
基本品番
FJP216
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
1,000
他の名前
2832-FJP2160DTU
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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