製造者製品番号:
FDW258P
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDW258P-DG
説明:
MOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
詳細な説明:
P-Channel 12 V 9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
在庫:
12846528
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FDW258P 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
PowerTrench®
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
P-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
12 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
1.8V, 4.5V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
11mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
73 nC @ 4.5 V
Vgs(最大)
±8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5049 pF @ 5 V
FET機能
-
消費電力(最大)
1.3W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-TSSOP
パッケージ/ケース
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
基本品番
FDW25
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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