製造者製品番号:
FDW2501N
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDW2501N-DG
説明:
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8TSSOP
詳細な説明:
Mosfet Array 20V 6A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
在庫:
12839016
見積もりをリクエスト
数量
最低1
最低1
YGIO
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
24時間以内にご連絡いたします
送信
FDW2501N 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, FET、MOSFETアレイ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
PowerTrench®
製品ステータス
Obsolete
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
構成
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Logic Level Gate
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6A
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
18mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
17nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1290pF @ 10V
パワー - 最大
600mW
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-TSSOP
基本品番
FDW25
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
代替モデル
部品番号
TSM6968DCA RVG
製造業者
Taiwan Semiconductor Corporation
在庫数
204
部品番号
TSM6968DCA RVG-DG
単価
0.32
代替タイプ
Similar
DIGI認証
関連商品
FDG6332C-F085
MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
FDPC5018SG
MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
FDMC6890NZ
MOSFET 2N-CH 20V 4A MICROFET 3X3
