製造者製品番号:
FDS6675BZ
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDS6675BZ-DG
説明:
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
詳細な説明:
P-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
在庫:
14563 新規オリジナル在庫あり
12851286
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FDS6675BZ 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
PowerTrench®
製品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
30 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4.5V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
13mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±25V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2470 pF @ 15 V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.5W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本品番
FDS6675
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
FAIFSCFDS6675BZ
FDS6675BZCT
FDS6675BZDKR
FDS6675BZTR
2156-FDS6675BZ-OS
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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