製造者製品番号:
FDS6064N3
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDS6064N3-DG
説明:
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
詳細な説明:
N-Channel 20 V 23A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
在庫:
12847527
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FDS6064N3 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
PowerTrench®
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
20 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
23A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
1.8V, 4.5V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
4mOhm @ 23A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
98 nC @ 4.5 V
Vgs(最大)
±8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
7191 pF @ 10 V
FET機能
-
消費電力(最大)
3W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO FLMP
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
基本品番
FDS60
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
FDS6064N3_NLTR-DG
FDS6064N3_NL
FDS6064N3TR-NDR
FDS6064N3DKR
FDS6064N3CT-NDR
FDS6064N3_NLCT
FDS6064N3TR
FDS6064N3_NLCT-DG
FDS6064N3_NLTR
FDS6064N3CT
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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