製造者製品番号:
FDN86265P
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDN86265P-DG
説明:
MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
詳細な説明:
P-Channel 150 V 800mA (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
在庫:
26027 新規オリジナル在庫あり
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FDN86265P 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
PowerTrench®
製品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
150 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
6V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
1.2Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
4.1 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±25V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
210 pF @ 75 V
FET機能
-
消費電力(最大)
1.5W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本品番
FDN86265
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
FDN86265PTR
FDN86265PCT
FDN86265PDKR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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