製造者製品番号:
FDN358P
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDN358P-DG
説明:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
詳細な説明:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
在庫:
12848085
見積もりをリクエスト
数量
最低1
最低1
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
24時間以内にご連絡いたします
送信
FDN358P 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
PowerTrench®
製品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
30 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4.5V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
125mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
182 pF @ 15 V
FET機能
-
消費電力(最大)
500mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本品番
FDN358
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
FDN358PTR
FDN358PCT
2156-FDN358P-OS
FDN358PDKR
FAIFSCFDN358P
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
代替モデル
部品番号
BSS315PH6327XTSA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
11540
部品番号
BSS315PH6327XTSA1-DG
単価
0.07
代替タイプ
Similar
部品番号
PJA3409-AU_R1_000A1
製造業者
Panjit International Inc.
在庫数
1124
部品番号
PJA3409-AU_R1_000A1-DG
単価
0.05
代替タイプ
Similar
DIGI認証
関連商品
NTB22N06T4
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
FCPF165N65S3R0L
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
FDD2572
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
