製造者製品番号:
FDMS86200
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDMS86200-DG
説明:
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
詳細な説明:
N-Channel 150 V 9.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
在庫:
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FDMS86200 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
PowerTrench®
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
150 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9.6A (Ta), 35A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
6V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
18mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2715 pF @ 75 V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
基本品番
FDMS86
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
2156-FDMS86200-488
FDMS86200DKR
2832-FDMS86200-488
FDMS86200TR
FDMS86200CT
2832-FDMS86200TR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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