製造者製品番号:
FDMS3669S
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDMS3669S-DG
説明:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
詳細な説明:
Mosfet Array 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56
在庫:
190 新規オリジナル在庫あり
12851000
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FDMS3669S 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, FET、MOSFETアレイ
製造者
onsemi
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
PowerTrench®
製品ステータス
Active
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
構成
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能
Logic Level Gate
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
13A, 18A
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
10mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.7V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
24nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1605pF @ 15V
パワー - 最大
1W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
Power56
基本品番
FDMS3669
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
FDMS3669SCT
FDMS3669SDKR
2156-FDMS3669S-OS
2832-FDMS3669STR
FDMS3669STR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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