製造者製品番号:
FDMD8560L
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDMD8560L-DG
説明:
MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6
詳細な説明:
Mosfet Array 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
在庫:
2932 新規オリジナル在庫あり
12850019
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FDMD8560L 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, FET、MOSFETアレイ
製造者
onsemi
パッケージング
Cut Tape (CT)
級数
PowerTrench®
製品ステータス
Obsolete
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
構成
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能
-
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
22A, 93A
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
3.2mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
128nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
11130pF @ 30V
パワー - 最大
2.2W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-Power 5x6
基本品番
FDMD8560
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
FDMD8560LTR
2156-FDMD8560L-488
2832-FDMD8560L
FDMD8560LDKR
FDMD8560LCT
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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