製造者製品番号:
FDMC8296
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDMC8296-DG
説明:
MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8MLP
詳細な説明:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
在庫:
12846809
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FDMC8296 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
PowerTrench®
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
30 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Ta), 18A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4.5V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1385 pF @ 15 V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.3W (Ta), 27W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-MLP (3.3x3.3)
パッケージ/ケース
8-PowerWDFN
基本品番
FDMC82
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
FDMC8296TR
FDMC8296CT
FDMC8296DKR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
BSZ088N03LSGATMA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
7680
部品番号
BSZ088N03LSGATMA1-DG
単価
0.26
代替タイプ
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