製造者製品番号:
FDD8770
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDD8770-DG
説明:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
詳細な説明:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA
在庫:
12847441
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FDD8770 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
級数
PowerTrench®
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
25 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
35A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4.5V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3720 pF @ 13 V
FET機能
-
消費電力(最大)
115W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252AA
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本品番
FDD877
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
FDD8770CT
FDD8770TR
FDD8770DKR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
PJD85N03_L2_00001
製造業者
Panjit International Inc.
在庫数
0
部品番号
PJD85N03_L2_00001-DG
単価
0.20
代替タイプ
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