製造者製品番号:
FDD6N25TM
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDD6N25TM-DG
説明:
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
詳細な説明:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
在庫:
12849765
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FDD6N25TM 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
級数
UniFET™
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
250 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
50W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252AA
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本品番
FDD6N25
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
2156-FDD6N25TM-OS
FDD6N25TMCT
FDD6N25TMTR
FDD6N25TMDKR
2832-FDD6N25TMTR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
IRFR220NTRLPBF
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
19780
部品番号
IRFR220NTRLPBF-DG
単価
0.29
代替タイプ
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