製造者製品番号:
FDD3N40TM
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDD3N40TM-DG
説明:
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
詳細な説明:
N-Channel 400 V 2A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
在庫:
12850675
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FDD3N40TM 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
UniFET™
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
400 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
225 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
30W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252AA
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本品番
FDD3N40
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
2156-FDD3N40TM-OS
FDD3N40TMCT
FDD3N40TMTR
FDD3N40TMDKR
ONSONSFDD3N40TM
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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