FDD3670
製造者製品番号:

FDD3670

Product Overview

製造者:

onsemi

部品番号:

FDD3670-DG

説明:

MOSFET N-CH 100V 34A TO252
詳細な説明:
N-Channel 100 V 34A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA

在庫:

2496 新規オリジナル在庫あり
12848304
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FDD3670 技術仕様

カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
PowerTrench®
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
100 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
34A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
6V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
32mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2490 pF @ 50 V
FET機能
-
消費電力(最大)
3.8W (Ta), 83W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252AA
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本品番
FDD367

データシートとドキュメント

データシート
HTML データシート

追加情報

スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
FDD3670-DG
FDD3670CT
FDD3670TR
FDD3670DKR

環境および輸出分類

RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095

代替モデル

部品番号
STD25NF10LT4
製造業者
STMicroelectronics
在庫数
4741
部品番号
STD25NF10LT4-DG
単価
0.84
代替タイプ
Similar
部品番号
IPD30N10S3L34ATMA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
35870
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0.48
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