製造者製品番号:
FDD3670
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDD3670-DG
説明:
MOSFET N-CH 100V 34A TO252
詳細な説明:
N-Channel 100 V 34A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
在庫:
2496 新規オリジナル在庫あり
12848304
見積もりをリクエスト
数量
最低1
最低1
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
24時間以内にご連絡いたします
送信
FDD3670 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
PowerTrench®
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
100 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
34A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
6V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
32mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2490 pF @ 50 V
FET機能
-
消費電力(最大)
3.8W (Ta), 83W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252AA
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本品番
FDD367
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
FDD3670-DG
FDD3670CT
FDD3670TR
FDD3670DKR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
IPD30N10S3L34ATMA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
35870
部品番号
IPD30N10S3L34ATMA1-DG
単価
0.48
代替タイプ
Similar
部品番号
BUK7240-100A,118
製造業者
Nexperia USA Inc.
在庫数
19864
部品番号
BUK7240-100A,118-DG
単価
0.58
代替タイプ
Similar
DIGI認証
関連商品
FQA11N90C
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
RFP4N100
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3
AOI1N60L
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
