FDB8874
製造者製品番号:

FDB8874

Product Overview

製造者:

onsemi

部品番号:

FDB8874-DG

説明:

MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB
詳細な説明:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 121A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

在庫:

12850696
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FDB8874 技術仕様

カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
PowerTrench®
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
30 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
21A (Ta), 121A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4.5V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
4.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3130 pF @ 15 V
FET機能
-
消費電力(最大)
110W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263 (D2PAK)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本品番
FDB887

データシートとドキュメント

データシート
HTML データシート

追加情報

スタンダードパッケージ
800

環境および輸出分類

湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095

代替モデル

部品番号
IRL3803STRLPBF
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
2825
部品番号
IRL3803STRLPBF-DG
単価
0.95
代替タイプ
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