製造者製品番号:
FDB8870
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDB8870-DG
説明:
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
詳細な説明:
N-Channel 30 V 23A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
在庫:
12839355
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FDB8870 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
級数
PowerTrench®
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
30 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
23A (Ta), 160A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4.5V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
3.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5200 pF @ 15 V
FET機能
-
消費電力(最大)
160W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263 (D2PAK)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本品番
FDB887
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
800
他の名前
2156-FDB8870-OS
FDB8870FSCT
FAIFSCFDB8870
FDB8870FSTR
FDB8870FSDKR
FDB8870-DG
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
IRL7833STRLPBF
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
3883
部品番号
IRL7833STRLPBF-DG
単価
0.88
代替タイプ
Similar
部品番号
PSMN4R3-30BL,118
製造業者
Nexperia USA Inc.
在庫数
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部品番号
PSMN4R3-30BL,118-DG
単価
0.58
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