製造者製品番号:
FDB082N15A
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDB082N15A-DG
説明:
MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
詳細な説明:
N-Channel 150 V 117A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
在庫:
508 新規オリジナル在庫あり
12845906
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FDB082N15A 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
PowerTrench®
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
150 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
117A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
8.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
6040 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
294W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263 (D2PAK)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本品番
FDB082
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
800
他の名前
FDB082N15A-DG
FDB082N15AFSCT
FDB082N15AFSDKR
FDB082N15AFSTR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
IPB072N15N3GATMA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
4910
部品番号
IPB072N15N3GATMA1-DG
単価
2.99
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