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よくある質問
製造者製品番号:
FCPF20N60T
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FCPF20N60T-DG
説明:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
詳細な説明:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
在庫:
オンラインRFQ
12850475
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FCPF20N60T 技術仕様
カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
Tube
級数
SuperFET™
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3080 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
39W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220F-3
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack
基本品番
FCPF20
データシートとドキュメント
データシート
FCPF20N60T
HTML データシート
FCPF20N60T-DG
追加情報
スタンダードパッケージ
50
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
Not Applicable
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
IPP65R190E6XKSA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
580
部品番号
IPP65R190E6XKSA1-DG
単価
1.52
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