製造者製品番号:
FCP190N60
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FCP190N60-DG
説明:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
詳細な説明:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
在庫:
12850527
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FCP190N60 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
SuperFET® II
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
199mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2950 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
208W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
パッケージ/ケース
TO-220-3
基本品番
FCP190
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
50
他の名前
ONSONSFCP190N60
2156-FCP190N60-OS
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
Not Applicable
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
IPP65R190E6XKSA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
580
部品番号
IPP65R190E6XKSA1-DG
単価
1.52
代替タイプ
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単価
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