製造者製品番号:
BD810G
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
BD810G-DG
説明:
TRANS PNP 80V 10A TO220
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A 1.5MHz 90 W Through Hole TO-220
在庫:
12848876
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BD810G 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
PNP
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
10 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
80 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
1.1V @ 300mA, 3A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
1mA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
15 @ 4A, 2V
パワー - 最大
90 W
周波数 - トランジション
1.5MHz
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220
基本品番
BD810
データシートとドキュメント
追加情報
スタンダードパッケージ
50
他の名前
2156-BD810G-OS
ONSONSBD810G
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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