製造者製品番号:
BD681G
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
BD681G-DG
説明:
TRANS NPN DARL 100V 4A TO126
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 4 A 40 W Through Hole TO-126
在庫:
2370 新規オリジナル在庫あり
12850281
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BD681G 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
Bulk
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
NPN - Darlington
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
4 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
100 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
2.5V @ 30mA, 1.5A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
500µA
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
750 @ 1.5A, 3V
パワー - 最大
40 W
周波数 - トランジション
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-225AA, TO-126-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-126
基本品番
BD681
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
500
他の名前
2156-BD681G-OS
BD681GOS
2832-BD681G
ONSONSBD681G
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
Not Applicable
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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