製造者製品番号:
BD535J
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
BD535J-DG
説明:
TRANS NPN 60V 8A TO220-3
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 8 A 12MHz 50 W Through Hole TO-220-3
在庫:
12851272
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BD535J 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
8 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
60 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
800mV @ 200mA, 2A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100µA
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
30 @ 2A, 2V
パワー - 最大
50 W
周波数 - トランジション
12MHz
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
基本品番
BD535
データシートとドキュメント
追加情報
スタンダードパッケージ
1,200
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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