製造者製品番号:
BD435S
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
BD435S-DG
説明:
TRANS NPN 32V 4A TO126-3
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126-3
在庫:
12846501
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BD435S 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
4 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
32 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
500mV @ 200mA, 2A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100µA
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
40 @ 10mA, 5V
パワー - 最大
36 W
周波数 - トランジション
3MHz
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-225AA, TO-126-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-126-3
基本品番
BD435
追加情報
スタンダードパッケージ
2,000
他の名前
2832-BD435S-488
2832-BD435S
2156-BD435S-488
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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