製造者製品番号:
BD159G
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
BD159G-DG
説明:
TRANS NPN 350V 0.5A TO126
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 500 mA 20 W Through Hole TO-126
在庫:
12846680
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BD159G 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
500 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
350 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
-
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100µA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
30 @ 50mA, 10V
パワー - 最大
20 W
周波数 - トランジション
-
動作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-225AA, TO-126-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-126
基本品番
BD159
データシートとドキュメント
追加情報
スタンダードパッケージ
500
他の名前
BD159GOS
ONSONSBD159G
BD159G-DG
2156-BD159G-OS
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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