製造者製品番号:
BC859CLT1
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
BC859CLT1-DG
説明:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
在庫:
12850618
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BC859CLT1 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
PNP
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
100 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
30 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
650mV @ 5mA, 100mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
15nA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
420 @ 2mA, 5V
パワー - 最大
300 mW
周波数 - トランジション
100MHz
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
基本品番
BC859
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
2156-BC859CLT1-ONTR
ONSONSBC859CLT1
環境および輸出分類
RoHSステータス
RoHS non-compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0075
代替モデル
部品番号
BC858BE6327HTSA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
0
部品番号
BC858BE6327HTSA1-DG
単価
0.03
代替タイプ
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