製造者製品番号:
BC637RL1G
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
BC637RL1G-DG
説明:
TRANS NPN 60V 1A TO92
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
在庫:
12837076
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BC637RL1G 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
1 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
60 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
500mV @ 50mA, 500mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
40 @ 150mA, 2V
パワー - 最大
625 mW
周波数 - トランジション
200MHz
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-92 (TO-226)
基本品番
BC637
追加情報
スタンダードパッケージ
2,000
他の名前
2156-BC637RL1G-ONTR
ONSONSBC637RL1G
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0075
代替モデル
DIGI認証
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