製造者製品番号:
2SK4125-1E
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
2SK4125-1E-DG
説明:
MOSFET N-CH 600V 17A TO3P-3L
詳細な説明:
N-Channel 600 V 17A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
在庫:
12833268
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2SK4125-1E 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
17A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
610mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1200 pF @ 30 V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.5W (Ta), 170W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-3P-3L
パッケージ/ケース
TO-3P-3, SC-65-3
基本品番
2SK4125
追加情報
スタンダードパッケージ
30
他の名前
ONSONS2SK4125-1E
2156-2SK4125-1E
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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