製造者製品番号:
2SD1816T-H
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
2SD1816T-H-DG
説明:
TRANS NPN 100V 4A TP
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4 A 180MHz 1 W Through Hole TP
在庫:
12836663
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2SD1816T-H 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
4 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
100 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
400mV @ 200mA, 2A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
1µA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
200 @ 500mA, 5V
パワー - 最大
1 W
周波数 - トランジション
180MHz
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ
TP
基本品番
2SD1816
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
500
他の名前
ONSONS2SD1816T-H
2156-2SD1816T-H-ON
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0075
DIGI認証
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