製造者製品番号:
2SC6099-E
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
2SC6099-E-DG
説明:
TRANS NPN 100V 2A TP
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 300MHz 800 mW Through Hole TP
在庫:
12835526
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2SC6099-E 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
2 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
100 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
165mV @ 100mA, 1A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
1µA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
300 @ 100mA, 5V
パワー - 最大
800 mW
周波数 - トランジション
300MHz
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ
TP
基本品番
2SC6099
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
500
他の名前
2156-2SC6099-E-ON
ONSONS2SC6099-E
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0075
代替モデル
DIGI認証
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