2N6491
製造者製品番号:

2N6491

Product Overview

製造者:

onsemi

部品番号:

2N6491-DG

説明:

TRANS PNP 80V 15A TO220
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 15 A 5MHz 1.8 W Through Hole TO-220

在庫:

12837938
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2N6491 技術仕様

カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
PNP
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
15 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
80 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
3.5V @ 5A, 15A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
1mA
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
20 @ 5A, 4V
パワー - 最大
1.8 W
周波数 - トランジション
5MHz
動作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220
基本品番
2N6491

データシートとドキュメント

データシート
HTML データシート

追加情報

スタンダードパッケージ
50
他の名前
ONSONS2N6491
2N6491OS
2156-2N6491-ON

環境および輸出分類

RoHSステータス
RoHS non-compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095

代替モデル

部品番号
BD912
製造業者
NTE Electronics, Inc
在庫数
388
部品番号
BD912-DG
単価
1.10
代替タイプ
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2N6491G
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onsemi
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0.35
代替タイプ
Direct
DIGI認証
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