製造者製品番号:
2N5550TAR
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
2N5550TAR-DG
説明:
TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
在庫:
39899 新規オリジナル在庫あり
12834250
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2N5550TAR 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
Tape & Box (TB)
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
600 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
140 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
250mV @ 5mA, 50mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
60 @ 10mA, 5V
パワー - 最大
625 mW
周波数 - トランジション
300MHz
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-92-3
基本品番
2N5550
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,000
他の名前
2832-2N5550TARTR
2N5550TARCT
2N5550TARTB
2N5550TAR-DG
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
Not Applicable
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0075
DIGI認証
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